簡(jiǎn)介：載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)Paios主要用于太陽(yáng)能電池在穩(wěn)態(tài)，瞬態(tài)以及交流條件下的光電性能測(cè)量（載流子遷移率測(cè)量Photo-CELIV，瞬態(tài)光電流測(cè)量TPC、瞬態(tài)光電性能測(cè)量TPV、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS以及阻抗IS,CV等量測(cè)）為光電器件微觀機(jī)理研究提供了有力的測(cè)試平臺(tái)；多功能一體化高性能瞬態(tài)測(cè)試平臺(tái)，不但可以測(cè)量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動(dòng)力學(xué)過程、阻抗譜等，還可以對(duì)瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS等進(jìn)行測(cè)量分析，全面分析器件中的載流子特性和瞬態(tài)過程。

可量測(cè)器件類型：
     * 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件；
     * 有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV；
     * 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
     * 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч琛⒎蔷Ч璧裙杌?yáng)能電池）；
     * 染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC；

主要測(cè)量功能：

     * 最大功率點(diǎn)MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強(qiáng)，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）

     * 載流子濃度，載流子動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電流法 TPC）

     * 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV）

     * 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）

     * 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）

     * 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）

     * 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）

     * 載流子復(fù)合過程，朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）

     * 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）

     * 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）

     * 陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）

     * 遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）

     * 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）

     * 陷阱分析（深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS）

     * 載流子傳輸時(shí)間分析（強(qiáng)度調(diào)制光電流譜 IMPS）；

     * 載流子復(fù)合時(shí)間、收集效率等分析（強(qiáng)度調(diào)制光光電壓譜IMVS）；

     * 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）

     * 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）

     *載流子遷移率（TEL瞬態(tài)電致發(fā)光，Photo-CELIV線性增壓抽取載流子）

     *OLED/鈣鈦礦LED發(fā)光特性測(cè)量（發(fā)光器件測(cè)量）；

測(cè)量技術(shù)：   

   1）IV/IVL特性：IV和IVL曲線是針對(duì)OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測(cè)手法，通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系；

*對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體材料可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；

   2）瞬態(tài)光電流（TPC）：研究載流子動(dòng)力學(xué)過程和載流子密度等；

   3）瞬態(tài)光電壓（TPV）：研究載流子壽命和復(fù)合過程；

   4) 雙脈沖瞬態(tài)光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程；

   5) 暗注入瞬態(tài)法（Dark Injection）：對(duì)于單載流子器件和OLED，研究其載流子遷移率；

   6) 電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析；

   7) 暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量；

   8) 光照線性增壓載流子瞬態(tài)法（Photo-CELIV）：提取有機(jī)太陽(yáng)能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility，及載流子濃度分析等；

   9) 時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法（Delaytime-CELIV）：復(fù)合動(dòng)態(tài)過程分析和Langevin復(fù)合因子分析等；

   10）注入線性增壓載流子瞬態(tài)法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析；

   11）MIS-CELIV：載流子遷移率量測(cè)

   12）阻抗譜測(cè)量（Impedance Spectroscopy）：器件等效電路分析等；

   13）電容頻率測(cè)量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量；

   14）電容電壓測(cè)量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量；

   15) 深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）：陷阱分析；

   16）強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）：載流子傳輸時(shí)間分析；

   17）強(qiáng)度調(diào)制光光電壓譜（IMVS）：載流子復(fù)合時(shí)間、收集效率等分析；

   18）瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)試（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的載流子，磷光壽命測(cè)量；