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SAL-3000 ALD原子層沉積系統SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設備，該設備最多可搭載6路前驅體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

PE-CVD解決方案與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質量。高質量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產類似質量的鍍膜。PE-CVD使用電能產生輝光放電(等離子體)，其中能量轉移到氣體混合物中。

系統中的PECVD可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應耦合等離子體（ICP）源。

PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應器制造而得到的專業技術。Tuomo Suntola博士，于1974年發明了ALD技術，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術官SVEN LINDFORS從1975年開始連續的設計ALD系統。綜合起來講，PICOSUN擁有了200多年的ALD經驗并貢獻了100多項ALD。我們悠久的歷史和廣泛的背景使PICOSUN成為ALD技術優質的合作伙伴。技術參

NLD-3500（A）全自動原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。