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用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。應用領域：芯片封裝、半導體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫學仿生、熒光材料、OLED顯示、有機材料、電子電路、光學膜等。

Laser MBELaser MBE特點模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現襯底和靶材的UHV傳輸*的工藝自動化功能，可實現超晶格生長溫度測量準確的耐氧襯底加熱器，1000 ℃，也可以選配激光加熱靶臺可以屏蔽交叉污染，傳輸整個carrousel而非單個靶材真空腔室利于系統升級。